5SHY3545L0016 |3BHB020720|Управляемый кремниевый затвор

5SHY3545L0016 |3BHB020720|Управляемый кремниевый затвор

Напряжение питания: 230V AC

Частота работы: 50/60 МГЦ

Интерфейс связи: Ethernet/IP, Profinet

Вычислительная мощность: до 256 точек ввода/вывода

Объем памяти: 512 кб программной памяти

Размер (ширина x глубина x) : 170mm x 100mm x 35мм

Вес: 0,5 кг

Температурн диапазон работ: – 25 ° C до + 55 ° C

5SHY3545L0016 |3BHB020720|Управляемый кремниевый затвор

* 5SHY3545L0016 — модуль, используемый для управления энергией и преобразования, принадлежащий IGCT (интегрированный дверной переключатель). Этот кристаллический шлюз объединяет преимущества стабильной способности транзистора выключать и потери в низкопрофильном состоянии кристаллических тормозов, таким образом, он может использовать свойства кристаллических тормозов на этапе наводимости, а на этапе выключения они представляют собой свойство транзистора.

В частности, кремниевые затворы 5SHY3545L0016 интегрируют чипы GTO в антипараллельные диоды и цепи управления вратами, а также соединяют их с двигателями врат на периферии в низкоиндуктивном виде. Такой дизайн делает кристаллический шлюз эффективным, широким входным полем, эффективным тепловым дизайном и лёгким в использовании.

В практическом применении можно применить к различным индустриальных сценариям применения, которые требуют эффективности, надежности и программирования. Из-за эффективного управления электроэнергией и преобразования, он часто используется в мега-электронных устройствах, разработанных преобразователями среднего давления для обеспечения стабильной и надежной поддержки промышленных автоматизированных систем управления.

5SHY3545L0016 |3BHB020720|Управляемый кремниевый затвор

В целом, 5SHY3545L0016 является модулем управления энергией и преображения с полной функциональностью и стабильными производительными свойствами, применяемым в ряде промышленных сцен применения. Однако при использовании этого кристаллического шлюза необходимо следовать соответствующим нормам установки и использования, чтобы обеспечить нормальное функционирование и продлить продолжительность жизни. В то же время, для конкретных прикладных сцен может потребоваться также модифицированная конструкция и конфигурация, чтобы удовлетворить определенные потребности в электрическом контроле и преобразовании.

IGCT (Integrated Gate- commututed Thyristor) — интегрированный транзистор с системой управления вратами, в то время как IGBT — биполярный транзистор с изолированной решеткой. 5shy35445l0016 — переключатели, используемые для электронных устройств высокой мощности, но оба отличаются структурой и принципами работы.

Структура IGBT состоит из продольных соединений, включая MOSFET типа N, P, MOSFET и BJT, которые комбинируют высокое входное сопротивление MOSFET и низкое насыщенное давление BJT, используя прямое смещение напряжения в узле PN для того, чтобы провести его, а когда напряжение снимается, IGBT автоматически отключается.