Кремниевый германий (SiGe) — полупроводниковый прибор, способный преобразовать световой сигнал в электрический. Он состоит в основном из кремниевых германиевых материалов, которые можно легко готовить в существующих полупроводниковых технологиях. SiGe PIN фотоэлектрический детектор обычно используется в таких областях, как оптическая связь, обработка световой информации, оптическая сенсорная чувствительность, а также широкий диапазон волн.

Принцип работы детектора SiGe PIN — использование фотоэффекта. Когда падающий свет попадает на поверхность зонда, фотоны возбуждают электроны в материалах SiGe, которые позволяют ему перейти в зону наведения для формирования пары электронных дыр. Эти электронные дыры изолированы под действием электрического поля, создавая электрический сигнал. Измеряя размер этого сигнала тока, можно определить силу и длину волн светового сигнала.

Сигэ материалы имеют более высокую скорость переноса и более низкую степень сложности, чем обычные кремниевые материалы, что позволяет детекторам SiGe PIN с более высокой скоростью и чувствительностью реагировать. Кроме того, материалы SiGe имеют более высокую тепловую стабильность и модуляцию размера, которые удовлетворяют различные потребности в применении.

В целом, кремниевый детектор Германия (SiGe) PIN (sige) имеет важные перспективы применения в таких областях, как оптическая связь, обработка оптической информации, оптическая сенсорная информация, оптическая сенсорная информация и другие виды оптической электроники, которые обеспечивают важную поддержку в развитии фотоэлектронных технологий cd74htt245m96.

Кремниевый германиевый детектор (SiGe) PIN (sige) фотоэлектрический детектор получил широкое исследование и применение в последние годы, с различными характеристиками, такими как высокая чувствительность, скорость быстрого реагирования, широкий диапазон откликов на волны. Ниже приводятся итоги исследований по исследованию кремниевых германиевых фотозондов:

1. Подготовка материалов и структурный дизайн:

– сплав сигэ имеет важные перспективы применения в полупроводниковых устройствах, имеет более высокую фотоэлектрическую производительность и настраиваемость. Высококачественная плёнка SiGe может вырастать с помощью технологий, таких как химическое газовое отложение (CVD).

– исследователи непрерывно оптимизируют структурные конструкции детекторов кремниевого Германия, в Том числе слой поглощения света, область P-примесей, область N-типа примесей и т.д.

Оптимизация производительности и улучшение функции:

– сравнение между оптимизированными пулями передачи и различными функциональными единицами в оптических электронных приборах может значительно улучшить обнаружительные свойства кремниевых германиевых фотоэлектрических детекторов.

– далее увеличиваем скорость реакции, квантовую эффективность и коэффициент частотного шума при помощи кремниевого германиевого детектора, чтобы удовлетворить потребности в различных прикладных сценах.

Интеграция и техника упаковки:

– в отношении различных потребностей в применении исследователи также изучают интегрированную и герметизированную технологию кремниевого германиевого фотоэлектрического детектора, чтобы повысить его стабильность и надежность.

– интегрировать кремниевый германиевый детектор с другими приборами, реализовать функции системного уровня и расширить область применения.

4. Область применения и перспективы:

– кремниевые германиевые фотодатчики имеют широкие возможности для применения в таких областях, как коммуникация, восприятие изображений, биомедицина и т.д.

– поскольку технологии прогрессируют и спрос на применение растет, кремниевые германиевые фотодатчики будут играть важную роль в большем количестве областей.

В целом, кремниевые германиевые фотодетекторы добились большого прогресса в материале, структуре, оптимизации производительности и применении, создавая новые возможности и проблемы для развития в фотоэлектронике. Будем надеяться, что в будущем мы увидим больше инновационных результатов, связанных с кремниевым германиевым фотоэлектрическим детектором.